直径mm | 8寸(200.2mm) |
生长方式 | 直拉单晶(CZ) |
硅片纯度 | 11N (99.999999999%) |
晶向 | 100 110 111 |
掺杂类型 | N型(掺磷)P型(掺硼)无掺杂 |
电阻率ohm.cm | 0.005~20000可按要求定制 |
厚度um | 725 或按要求定制 |
平整度TIR um | <3um |
翘曲度TTV um | <15um |
弯曲度BOW um | <15um |
粗糙度Ra nm | <1nm |
表面 | 单抛双抛氮化氧化镀金镀铂镀铜 |
包装 | 25/包无尘真空包装 |
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